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Ssd Goodram Irdm Pro Nano M.2. 2230 512gb 3d Nand Odczyt Do 5100mb/S, Zapis Do 4600mb/S

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Goodram IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30. SDD, capacidad: 512 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5100 MB/s, Velocidad de escritura: 4600 MB/s, Componente para: Notebook/Game console

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Goodram IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30 unidad de estado sólido M.2 512 GB PCI Express 4.0 NVMe 3D NAND

  • Diseñado para consolas portátiles
  • Formato compacto 2230
  • Interfaz PCIe gen. 4 x4
  • Controladores de canal cuádruple Phison E21T y E 27T de alto rendimiento
  • 5 años de garantía limitada TBW con asistencia técnica gratuita
Características
Factor de forma de disco SSDM.2
SDD, capacidad512 GB
InterfazPCI Express 4.0
NVMeSi
Tipo de memoria3D NAND
Componente paraNotebook/Game console
Tamaño de la unidad SSD M.22230 (22 x 30 mm)
Velocidad de lectura5100 MB/s
Velocidad de escritura4600 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)780000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)920000 IOPS
Tipo de controladorPhison E21T
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
ECCSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
calificación TBW300
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-40 - 85 °C
Máxima temperatura70 °C
Peso y dimensiones
Ancho22 mm
Profundidad30 mm
Altura2,2 mm

Goodram IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30. SDD, capacidad: 512 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5100 MB/s, Velocidad de escritura: 4600 MB/s, Componente para: Notebook/Game console

Ficha técnica

CAPACIDAD SSD
512 GB
ECC
SI
FACTOR DE FORMA DE DISCO SSD
M.2
NVME
SI