Samsung Mz-V9P1T0 M.2 1000 Gb Pci Express 4.0 V-Nand Mlc Nvme

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Descripción
Detalles del producto

Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

Características
Versión NVMe	2.0
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Factor de forma de disco SSD	M.2
SDD, capacidad	1000 GB
Interfaz	PCI Express 4.0
Tipo de memoria	V-NAND MLC
NVMe	Si
Componente para	PC
Encriptación de hardware	Si
Velocidad de lectura	7450 MB/s
Velocidad de escritura	6900 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)	1200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)	1550000 IOPS
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Función DevSleep	Si
Soporte S.M.A.R.T.	Si
Soporte TRIM	Si
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación	3,3 V
Consumo de energía (max)	7,8 W
Consumo de energía (promedio)	5,4 W
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento	1500 G
Peso y dimensiones
Ancho	80 mm
Profundidad	8,2 mm
Altura	24,3 mm
Peso	28 g

Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC

Ficha técnica

CAPACIDAD SSD: 1 TB
FACTOR DE FORMA DE DISCO SSD: M.2
NVME: SI
VELOCIDAD DE LECTURA: 7450 MB/S

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Samsung Mz-V9P1T0 M.2 1000 Gb Pci Express 4.0 V-Nand Mlc Nvme

Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe

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