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Memoria So-Dimm ddr5 8gb Pc 4800 cl40 Samsung Hlk

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Samsung M425R1GB4BB0-CQK. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40, ECC

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Samsung M425R1GB4BB0-CQK módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR5 4800 MHz ECC

Características
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Latencia CAS40
Memoria interna8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Tipo de memoria internaDDR5
Velocidad de memoria del reloj4800 MHz
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria262-pin SO-DIMM
ECCSi
Voltaje de memoria1.1 V
Configuración de módulos1024M x 16

Samsung M425R1GB4BB0-CQK. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40, ECC

Ficha técnica

DISEÑO DE MEMORIA (MÓDULOS X TAMAÑO)
1 X 8 GB
ECC
SI
LATENCIA CAS
40
40
MEMORIA INTERNA
8 GB
TIPO DE MEMORIA INTERNA
DDR5
SODIMM DDR5
VELOCIDAD DE MEMORIA DEL RELOJ
4800 MHZ
VOLTAJE DE MEMORIA
1.1 V