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Memoria Samsung ddr5 8gb / pc4800 /Ub/ 1Rx16/ cl40-40-40 M323R1Gb4Bb0-Cqk

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Samsung M323R1GB4BB0-CQK. Componente para: PC, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 40

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Samsung M323R1GB4BB0-CQK módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR5 4800 MHz

Características
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Latencia CAS40
Memoria interna8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Tipo de memoria internaDDR5
Velocidad de memoria del reloj4800 MHz
Componente paraPC
Forma de factor de memoria288-pin DIMM
ECCNo
Voltaje de memoria1.1 V
Configuración de módulos1024M x 16
Otras características
Organización de los chips1Rx16

Samsung M323R1GB4BB0-CQK. Componente para: PC, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 40

Ficha técnica

DISEÑO DE MEMORIA (MÓDULOS X TAMAÑO)
1 X 8 GB
ECC
NO
LATENCIA CAS
40
40
MEMORIA INTERNA
8 GB
TIPO DE MEMORIA INTERNA
DDR5
DDR5
VELOCIDAD DE MEMORIA DEL RELOJ
4800 MHZ
VOLTAJE DE MEMORIA
1.1 V