memoria-ram-silicon-power-ddr4-4gb-2666mhz-cl19-dimm-12v
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Memoria Ram Silicon Power ddr4 4gb 2666mhz cl19 Dimm 1.2v

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Capacidad total: 4 GB; Tecnología: DDR4 tft; Frecuencia (Bus clock rate): 2666 MHz; Tipología: UDIMM; Kit: No; Nombre módulo: NA; Generica: Sí

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Silicon Power SP004GBLFU266X02 módulo de memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 2666 MHz

Características
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Latencia CAS19
Memoria interna4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
Tipo de memoria internaDDR4
Velocidad de memoria del reloj2666 MHz
Componente paraPC/servidor
Forma de factor de memoria288-pin DIMM
ECCNo
Voltaje de memoria1.2 V
RetroiluminaciónNo
CertificaciónCE, FCC, Green dot, WEEE, RoHS
Otras características
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020

Silicon Power SP004GBLFU266X02. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 19

Ficha técnica

LATENCIA CAS
19
MEMORIA INTERNA
4 GB
TIPO DE MEMORIA INTERNA
DDR4
VELOCIDAD DE MEMORIA DEL RELOJ
2666 MHZ
VOLTAJE DE MEMORIA
1.2 V