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Este kit de doble canal G.Skill consta de dos módulos de memoria DDR3-1600 de 4 GB (PC3-12800, CL9). La capacidad total es de 8 GB. Los módulos SO-DIMM sin búfer de 204 pines están equipados con chips FBGA y tienen contactos chapados en oro. El kit es adecuado para portátiles y sistemas móviles con soporte DDR3 SO-DIMM.
Tipo | SDRAM-DDR3 | ||
EAN | 4711148597104 | ||
No de fabricante | F3-12800CL9D-8GBSQ | ||
capacidad | 8 GB (2 x 4096 MB) | ||
número | 2 piezas | ||
Diseño | SO-DIMM | ||
Montaje | de dos caras | ||
Chips de memoria | número | 32 (16 por módulo) | |
Densidad de datos | 2048 Mbit por chip de memoria | ||
organización | 256Mx8 | ||
conexión | 204 clavijas | ||
tensión | 1,5 voltios (de 1,425 a 1,575 voltios) | ||
defecto | DDR3-1600 (PC3-12800) | ||
Tacto físico | 800 MHz | ||
Tiempos | Latencia CAS (CL) | 9 | |
Retardo de RAS a CAS (tRCD) | 9 | ||
Tiempo de precarga de RAS (tRP) | 9 | ||
Tiempo activo de fila (tRAS) | 28 | ||
Peso | 170 gramos |
Ficha técnica