Memoria So-Dimm Ddr5 8gb Pc 4800 Cl40 Samsung Hlk

Samsung M425R1GB4BB0-CQK módulo de memoria 8 GB 1 x 8 GB DDR5 262-pin SO-DIMM ECC

Samsung M425R1GB4BB0-CQK, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR5, 4800 MHz, 262-pin SO-DIMM

Puntos clave del producto

• Portátil 8 GB DDR5
• 262-pin SO-DIMM 1 x 8 GB
• Latencia CAS: 40
• 1.1 V
• ECC

Características

• Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
• Latencia CAS: 40
• Memoria interna: 8 GB
• Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
• Tipo de memoria interna: DDR5
• Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
• Componente para: Portátil
• Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
• ECC: Si
• Voltaje de memoria: 1.1 V
• Configuración de módulos: 1024M x 16

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