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EAN 751492641997 - PNY MN16GK2D42666 módulo de memoria 16 GB 2 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM imagen 1

Memoria Ram Pny Mn16gk2d42666 16gb (2x8) 2666mhz Sodimm Ddr4

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Marca PNY
P/N: MN16GK2D42666 EAN: 751492641997

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PNY MN16GK2D42666. Componente para: Portátil, Memoria interna: 16 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19

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PNY MN16GK2D42666 módulo de memoria 16 GB 2 x 8 GB DDR4 260-pin SO-DIMM

PNY MN16GK2D42666, 16 GB, 2 x 8 GB, DDR4, 2666 MHz, 260-pin SO-DIMM

Puntos clave del producto

  • Portátil 16 GB DDR4 Doble canal
  • 260-pin SO-DIMM 2 x 8 GB
  • Latencia CAS: 19
  • 1.2 V

Características

  • Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
  • Latencia CAS: 19
  • Memoria interna: 16 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 2 x 8 GB
  • Tipo de memoria interna: DDR4
  • Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
  • Componente para: Portátil
  • Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM
  • ECC: No
  • Canales de memoria: Doble canal
  • Voltaje de memoria: 1.2 V
  • Intel® Extreme Memory Profile (XMP): No
Canales de memoria
Doble canal
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
2 x 8 gb
Latencia CAS
19
Memoria interna
16 gb
Tipo de memoria interna
Ddr4
Velocidad de memoria del reloj
2666 mhz
Voltaje de memoria
1.2 v